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英飞凌实现300毫米碳化硅功率器件制造
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11月10日报道，英飞凌在奥地利Villach工厂利用现有硅制造设备，将300毫米碳化硅（SiC）晶圆加工成首批功能性功率器件，成为首家在全规模晶圆厂环境中实现这一里程碑的公司。300毫米晶圆直径更大，每片可产出的芯片数量是200毫米晶圆的2.3倍。首批加工完成的300毫米SiC晶圆将于11月10日起在慕尼黑electronica展会展出。
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最新进展11月10日 02:25
英飞凌制成首批300毫米SiC功能功率器件，相关晶圆将于11月10日起展出。报道时间线
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11月10日
- Hacker News 首页Infineon 在 300 毫米 SiC 晶圆上制成首批功能功率器件
Infineon 在奥地利 Villach 工厂用现有硅制造设备，将 300 毫米碳化硅（SiC）晶圆加工成功能性功率器件，成为首家在全规模晶圆厂环境中实现该里程碑的公司。300 毫米晶圆直径更大，每片可产出芯片数量是 200 毫米晶圆的 2.3 倍。首批加工完成的 300 毫米 SiC 晶圆将于 11 月 10 日起在慕尼黑 electronica 展会展出。
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