Infineon 在 300 毫米 SiC 晶圆上制成首批功能功率器件

The first 300-millimeter power silicon carbide (SiC) wafer

Infineon 在奥地利 Villach 工厂用现有硅制造设备，将 300 毫米碳化硅（SiC）晶圆加工成功能性功率器件，成为首家在全规模晶圆厂环境中实现该里程碑的公司。300 毫米晶圆直径更大，每片可产出芯片数量是 200 毫米晶圆的 2.3 倍。首批加工完成的 300 毫米 SiC 晶圆将于 11 月 10 日起在慕尼黑 electronica 展会展出。